منبع، گيت، خروجي و لايه هاي رساناي اين ترانزيستور، همه با جوهرهاي نانولوله اي چاپ شده اند.
 
واجتاي گفت: نکته مهم ديگر در اين فرآيند چاپ تعداد معيني از لايه ها براي رسيدن به نوعي از رسانايي (فلز يا نيمه رسانا) که مورد نياز است، مي باشد. همچنين در اين فرآيند هيچ نيازي به جداسازي نانولوله هاي فلزي از نانولوله هاي نيمه رسانا نيست. اين بي نيازي به طور بسيار قابل ملاحظه اي منجر به سادگي اين فرآيند مي شود.

اين محققان متوجه شدند که در دماي اتاق، انتقال الکتريسيته در سرتاسر شبکه اي از نانولوله هاي فلزي و نيمه رسانا اتفاق مي افتد. در دماهاي پايين نانولوله هاي نيمه رسانا عايق مي شوند، بنابراين تونل زني الکتروني بين نانولوله هاي مجاور عامل اصلي در انتقال الکتريسيته است.

در نهايت، اين گروه تحقيقاتي براي ساخت ترانزيستور ها دو نوع از چهار نوع مخلوط نانولوله هاي عامل دارشده، را استفاده کرد. نانولوله هاي استفاده شده براي کانال هاي رسانا با پلي اتيلن گلايکول (PEG) عامل دار شده بودند، در حالي که الکترودهاي منبع، خروجي و گيت با نانولوله هاي کربوکسيله شده چاپ شدند. لايه اي از پلي اتيلن گلايکول به عنوان دي الکتريک گيت استفاده شد.

واجتاي گفت: ترانزيستور هاي اثر ميداني مبتني بر نانولوله براي کاربردهاي مبتني بر منطق مناسب خواهند بود. در اين کاربردها که نياز به تعداد زيادي مدار الکتريکي نيست، اين ترانزيستورها مي توانند روي يک سطح انعطاف پذير چاپ شوند. براي مثال نياز به کاپشن باراني داريد که حاوي ترانزيستور هايي باشد که عملکردش را کنترل مي کنند. اين ترانزيستورهاي مبتني بر نانولوله مي توانند اين کار را انجام دهند.

نتايج اين تحقيق در مجله ي ACS Nano منتشر شده است.

 
نوشته شده توسط محمد صادق کریمی در شنبه نوزدهم تیر ۱۳۸۹ |